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扬杰科技申请一种提升SIC功率器件短路鲁棒性的结构及制造方法专利，提升SIC功率器件的短路鲁棒性

件短路鲁棒性的结构及制造方法。涉及功率半导体技术领域。包括以下步骤：步骤001，提供一种N型重掺杂类型的衬底，即为N+型SiC半导体衬底，掺杂浓度为360~400um，掺杂浓度为1e19 cm。

金融界2023-12-30

技股份有限公司申请一项名为“一种碳化硅半导体器件及其制备方法“，公开号CN117316985A，申请日期为2023年10月。专利摘要显示，一种碳化硅半导体器件及其制备方法。涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的碳化硅衬底和碳化硅漂移层，所述碳化硅漂移层的顶面设有若干间隔向下延伸的沟槽；还包括：PW区，位于所述沟槽处；NP区，从所述沟槽的顶部向下延伸，包裹于所述PW区内；PP区，设置在所述沟槽处，位于所述NP区的下方；栅氧层，设置在相邻沟槽之间，位于所述碳化硅漂移层的顶面；Poly层，设置在所述栅氧层的顶面；隔离层，设置在所述Poly层上，并从侧部向下延伸至NP区；本发明一定程度上减小了N‑漂移层所带来的电阻，从而可降低体二极管的导通电阻，减少其在续流过程中产生的损耗。

金融界2023-12-30

扬杰科技申请碳化硅MOSFET专利，提高了体二极管的导通能力

化硅MOSFET器件及其制备方法。涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的碳化硅衬底和碳化硅漂移层；所述碳化硅漂移层的顶面设有若干间隔向下延伸的PW区；所述PW区的顶面设有向下延伸的NP区和PP区一；相邻所述PW区之间设有源级处沟槽，所述源级处沟槽的槽底设有向下延伸的PP区二；所述碳化硅漂移层顶面的端部和中部分别设有从下而上依次设置的栅氧层、Poly层和隔离层；所述隔离层从侧部向下延伸与NP区连接；本发明通过在碳化硅MOSFET中形成沟槽体二极管，使得体二极管导通从N型漂移层开始，提高了体二极管的导通能力，并且有效避免了由于电子和空穴的复合现象而导致的晶格缺陷蔓延，从而减小双极退化现象引起的器件性能退化。

金融界2023-12-30

新洁能申请超结功率半导体专利，能够明显缩小元胞尺寸，降低导通电阻

股份有限公司申请一项名为“一种超结功率半导体器件及其制造方法“，公开号CN117317014A，申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本发明涉及一种超结功率半导体器件及其制造方法。包括自下而上依次设置第一导电类型衬底、外延层、绝缘介质层和源极金属，在所述外延层靠近绝缘介质层的一侧设有多条第二导电类型柱，每一条所述第二导电类型柱由n段第二导电类型短柱组成，其中，n为大于或等于2的整数；将所述外延层与所述绝缘介质层的交界面设为水平面，所述第二导电类型短柱偏转于所述水平面的铅锤线；同一条第二导电类型柱内，各所述第二导电类型短柱的偏转方向一致，相邻的所述第二导电类型柱内，所述第二导电类型短柱的偏转方向相反。本发明提供一种超结功率半导体器件及其制造方法，能够明显缩小元胞尺寸，降低导通电阻，其制造方法与现有工艺兼容且制造方法简单。

金融界2023-12-30

成都蕊源半导体科技股份有限公司创业板IPO申请获得上市委会议通过

交所12月30日更新信息显示，成都蕊源半导体科技股份有限公司创业板IPO申请获得上市委会议通过。

金融界2023-12-30

格力电器申请沟槽栅MOSFET专利，有效解决沟槽栅MOSFET沟槽拐角处的高击穿电场对栅氧损伤的问题

3年10月。专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种沟槽栅MOSFET的元胞结构、制备方法以及沟槽栅MOSFET。该元胞结构包括：第一导电类型的第一半导体层、第一埋层和第一源极层，第二导电类型的第二半导体层，栅极和沟槽；第二半导体层形成在第一半导体层上部，沟槽和第一埋层均形成在第二半导体层内；沟槽呈环形结构，在环形方向上，沟槽的至少部分下方设有第一埋层，第一埋层与沟槽和第一半导体层相接触；栅极形成在沟槽内；第一源极层形成在第二半导体层位于沟槽围成区域的上部。元胞结构形成深P型结，该深P型结可以有效解决沟槽栅MOSFET沟槽拐角处的高击穿电场对栅氧损伤的问题，从而保证设有该元胞结构的沟槽栅MOSFET的可靠性。

金融界2023-12-30

北京大学申请半导体结构专利，可实现在牺牲栅极去除的位置形成栅极

知识产权局公告，北京大学申请一项名为“半导体结构的制备方法及半导体结构“，公开号CN117316770A，申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，该制备方法包括：形成沟道；在沟道的侧壁形成牺牲栅极结构；其中，牺牲栅极结构包括栅介质层和牺牲栅极，栅介质层位于沟道和牺牲栅极之间；形成与沟道的顶部连接的第一掺杂区；形成与沟道的底部连接的第二掺杂区；其中，牺牲栅极结构位于第一掺杂区和第二掺杂区之间；在形成第二掺杂区之后，去除牺牲栅极，并在牺牲栅极去除的位置形成栅极。

金融界2023-12-30

北方华创：公司2022年分红金额为2.36亿元，未来将继续努力提升经营业绩，积极回报广大投资者

投资者。感谢关注！投资者：请问公司的半导体设备零部件库存水位如何？北方华创董秘：您好，公司零部件库存水平与订单交付需求相匹配，目前周转率保持稳定。感谢关注！投资者：为什么公司没有公告部分设备中标项目，比如最近华灿光电拟5500万元采购北方华创MicroLED相关设备，公司偶尔披露一些大额中标信息，也会提振投资者信心，对公司股票也有提振作用。北方华创董秘：您好，该中标信息未达到监管规定的披露标准，公司中标情况可参考招投标网站相关信息。感谢关注！投资者：截至到2023年12月20日贵公司的股东人数是多少？北方华创董秘：您好，截至2023年12月20日，公司投资者共87895户。感谢关注！投资者：尊敬的董秘您好！请问最近的投资者总人数是多少啊？麻烦啦！感谢您的回复！祝您工作顺利！生活愉快！谢谢！北方华创董秘：您好，截至2023年12月29日，公司投资者共79,348户。感谢关注！投资者：截至最新日期，公司股东数有多少？北方华创董秘：您好，截至2023年12月29日，公司投资者共79,348户。感谢关注！投资者：请问截止到2023年11月30日股东户数是多少？北方华创董秘：您好，截至2023年11月30日，公司投资者共89,551户。感谢关注！投资者：截至到2023年12月31日贵公司的股东人数是多少？北方华创董秘：您好，截至2023年12月29日，公司投资者共79,348户。感谢关注！以上内容由证券之星根据公开信息整理，由算法生成，与本站立场无关。证券之星力求但不保证该信息（包括但不限于文字、视频、音频、数据及图表）全部或者部分内容的的准确性、完整性、有效性、及时性等，如存在问题请联系我们。本文为数据整理，不对您构成任何投资建议，投资有风险，请谨慎决策。

证券之星2023-12-30

固高科技：请参考定期报告，或法定媒体上公开披露的信息

业务包括控制器、伺服驱动器等部件产品，半导体设备是重要的应用领域。公司主营业务与产品目前不包括平行光源系统。投资者：希迪智驾成立于2017年10月，由香港科技大学著名创业导师李泽湘教授领衔创立，是一家商用车自动驾驶独角兽企业，也是国家级专精特新“小巨人企业。作为行业最早布局车路协同的自动驾驶公司，以自动驾驶重卡技术，打造无人纯电矿卡、无人驾驶园区物流车，落地无人运输场景，以“车路、云”全系列车路协同产品，为车联网先导区、双智城市、高速公路提供多类型智能网联解决方案。请问李泽湘是大股东吗？公司有跟希迪智驾合作吗固高科技董秘：希迪智驾是公司关联公司，招股书已披露。希迪智驾不是公司客户，无直接主营业务往来。以上内容由证券之星根据公开信息整理，由算法生成，与本站立场无关。证券之星力求但不保证该信息（包括但不限于文字、视频、音频、数据及图表）全部或者部分内容的的准确性、完整性、有效性、及时性等，如存在问题请联系我们。本文为数据整理，不对您构成任何投资建议，投资有风险，请谨慎决策。

证券之星2023-12-30

普冉股份申请输出驱动电路专利，能减少地弹效应

30日消息，据国家知识产权局公告，普冉半导体(上海)股份有限公司申请一项名为“输出驱动电路“，公开号CN117316951A，申请日期为2023年9月。专利摘要显示，本发明公开了一种输出驱动电路包括：第一驱动管，栅极接输入信号以及漏极接输出信号。第一驱动管形成于第一有源区中，由多个第一单元结构并联而成。两个相邻的第一单元结构共用同一多晶硅栅。各多晶硅栅的端部还延伸到第一有源区外的场氧表面上。各多晶硅栅连接在一起形成多晶硅线，多晶硅线还连接到由正面金属层组成的栅极，输入信号通过所述栅极加入到多晶硅线中的各多晶硅栅上。至少部分多晶硅栅之间首尾相串联并形成多晶硅首尾串联结构，在第一驱动管打开时，多晶硅首尾串联结构使多晶硅首尾串联结构中的各多晶硅栅所控制的第一单元结构依次导通，从而降低第一驱动管的瞬时电流。本发明能减少地弹效应。

金融界2023-12-30

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