FX168财经网_全球视野外汇黄金加密货币NFT资讯网

长鑫存储申请半导体结构及其制造方法专利，提高半导体结构的稳定性和可靠性

长鑫存储技术有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制造方法“，公开号CN117542386A，申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括：衬底；位于所述衬底上方的组件单元，所述组件单元包括二极管、位于所述二极管上方的磁性隧道结结构以及位于所述组件单元上方的自旋轨道矩提供层；其中，沿自下往上的方向，所述二极管结构依次包括第一极和第二极，所述磁性隧道结结构依次包括第一端和第二端，所述第二极与所述第一端电连接，所述自旋轨道矩提供层与所述第二端电连接。

金融界02-12 09:58

海纳股份申请二氧化硅背封自动去边设备专利，实现批量生产，工作效率明显提高

日消息，据国家知识产权局公告，浙江海纳半导体股份有限公司申请一项名为“一种二氧化硅背封自动去边设备“，公开号CN117542751A，申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本发明涉及单晶硅抛光片加工技术领域，具体地说，涉及一种二氧化硅背封自动去边设备。包括搬运机械手和于搬运机械手一侧线性并排设置的上料台、定位涂覆模块、去边显现模块、腐蚀去边模块和下料台；三组模块内均安装有旋转台；定位涂覆模块还包括定位感应器、供胶嘴和若干热气嘴；去边显现模块内还包括二次定位感应器、带有升降机构的保护模板和若干光源；腐蚀去边模块包括腐蚀腔，腐蚀腔内侧的顶部对称分布有清洗液喷嘴和腐蚀液喷嘴。本发明设计采用自动化连续生产，能够持续性对多片硅片同时进行去边，实现批量生产，工作效率明显提高；采用平行单色光技术，规避了折射发生，可适应各种尺寸的去边要求，适应性强；采用光刻技术，精度高。

金融界02-12 09:48

台积电申请非易失性存储器专利，提供具有改进的栅极结构的闪存及其制造方法

有限公司申请一项名为“非易失性存储器、半导体器件以及形成半导体器件的方法“，公开号CN117545277A，申请日期为2019年9月。专利摘要显示，根据本申请的实施例，各种实施例提供具有改进的栅极结构的闪存及其制造方法。闪存包括多个存储器单元，多个存储器单元包括存储器栅极、选择栅极、栅极介电层以及形成在栅极介电层的上表面上的保护盖。保护盖保护栅极介电层，并防止存储器和选择栅极通过导电材料无意地彼此电连接。根据本申请的实施例，还提供了非易失性存储器、半导体器件以及形成半导体器件的方法。

金融界02-12 09:29

乾照光电申请半导体器件及其制作方法专利，避免了后续导电衬底切割过程中机台昂贵、切割效率低下、晶圆翘曲、切边拉丝、金属颗粒污染等一系列问题

乾照光电股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制作方法“，公开号CN117542932A，申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，其可通过溶液腐蚀或干法刻蚀或激光切割或图形化电镀工艺，以实现所述导电衬底在晶圆端的预先分割。基于此，在后续制备出子半导体单元阵列后，无需再进行切割和劈裂，进而避免了后续导电衬底切割过程中机台昂贵、切割效率低下、晶圆翘曲、切边拉丝、金属颗粒污染等一系列问题。

金融界02-12 08:58

北京大学申请功率射频器件专利，实现嵌入式近结点均热/散热效果

近结嵌入式微气道结构及其制备方法，属于半导体器件技术领域。本发明采用高热导率材料制备器件的上表面均热结构和衬底层，实现了双面均热/散热，有效增加了器件的均热/散热能力，同时将微气道热沉直接引入器件的近结区域，显著增强了近结区域的散热能力，同时填充高导热系数气体，提高对流换热系数。因此本发明解决了器件上表面难以集成热沉的应用难题，实现嵌入式近结点均热/散热效果。

金融界02-12 06:19

聚辰股份申请恒流驱动电路及使用方法专利，可实现恒流驱动电路的调节

月8日消息，据国家知识产权局公告，聚辰半导体股份有限公司申请一项名为“一种恒流驱动电路及使用方法“，公开号CN117519392A，申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本发明公开一种恒流驱动电路及使用方法，所述恒流驱动电路包括：负载；第一电流源；第二电流源；第一电阻，其第一端与第一电流源和第二电流源的输出端连接，其第二端与第一预设基准电位连接；第二电阻，其第一端与负载的输入端连接，其第二端与第二预设基准电位连接；运算放大器，其同相输入端与第一电流源的输出端、第二电流源的输出端和第一电阻的第一端连接，其反相输入端与负载的输入端和第二电阻的第一端连接，其输出端与负载的输入端和第二电阻的第一端连接；以及分流电流源，与负载的输入端和运算放大器的输出端连接；且第一电流源和分流电流源皆为可调电流源。

金融界02-12 05:59

北京大学申请铁电存储器制备方法专利，解决了铁电存储器图形化带来的刻蚀污染问题

明提供了一种铁电存储器的制备方法，属于半导体存储器技术领域。本发明将铁电存储器的制备集成进入传统CMOS后道工序中，通过调整原有的通孔工艺，利用形成通孔的填充层隔离铁电存储器与金属互连线，解决了铁电存储器图形化带来的刻蚀污染问题。

金融界02-12 02:49

高塔半导体拟在印度投资80亿美元建芯片厂

以色列高塔半导体公司已向印度政府提交了一份提案，计划在印度建造一座价值80亿美元的芯片制造厂。高塔半导体正在寻求政府奖励措施，希望在印度生产65纳米和40纳米芯片。

金融界02-11 16:59

美国50亿美元芯片研发投资落地英伟达市值逼近谷歌亚马逊

》的一部分，美国将投资50亿美元用于以半导体为重点的研究、开发和劳动力需求。#2024宏观展望# 美国将投资50亿美元用于芯片研发。#科技# 美国政府正在投资超过50亿美元用于半导体相关的发展，以加强美国的芯片产业，因为对人工智能（AI）技术硬件的需求激增。美国政府表示，这笔资金将用于半导体的研究和开发，以及培养该行业的人才。这一宣布是2022年芯片和科学法案的最新阶段，该法案创建了美国历史上最大的公共资助的研发项目，旨在支持美国的芯片制造，并减少对其他国家的依赖。美国政府表示：“这些投资推动了美国在半导体研发领域的领导地位，缩短了新技术商业化的时间和成本，增强了美国的国家安全，并连接和支持工人们获得良好的半导体工作。” 美国政府在去年12月宣布了芯片和科学法案下的首笔资助。国防承包商BAE Systems（BAESY）获得了3500万美元。此举当时推高了英特尔（INTC）和先进微设备（AMD）等芯片制造商的股价。上个月，美国商务部还表示将向Microchip Technology（MCHP）提供来自CHIPS法案的1.62亿美元联邦资金，以促进芯片生产。英伟达市值逼近谷歌亚马逊。当地时间2月9日，美股半导体板块集体上涨，英伟达股价大涨3.6%，再创新高。截至当天收盘，英伟达市值超过1.78万亿美元，逼近谷歌和亚马逊约1.8万亿美元的市值。今年迄今不到两个月时间，英伟达股价涨幅已经超过46%。当天，AMD、高通和英特尔等芯片公司股价涨幅也都接近2%。美国芯片股集体上涨与美国政府针对芯片研发的投资款项落地有关。麦格理资产管理公司（Macquarie Asset Management）高级投资组合经理格斯·津恩（Gus Zinn）等人认为英伟达的反弹有更大的空间，他强调，即使有所上涨，估值也远低于近期的峰值。 “很多公司都在谈论人工智能，但没有一家公司像英伟达那样看到收入增长或估计变化，而且该股实际上只是跟上了不断上升的预期，”他说。“估值不是障碍——障碍是，这种情况会持续多久？显然，它不会永远增长得这么快，但我认为它会持续比人们想象的更长，而且比人们意识到的要大。

丰雪鑫9902-11 14:31

美国50亿美元芯片研发投资落地英伟达市值逼近谷歌亚马逊

当地时间2月9日，美股半导体板块集体上涨，英伟达股价大涨3.6%，再创新高。截至当天收盘，英伟达市值超过1.78万亿美元，逼近谷歌和亚马逊约1.8万亿美元的市值。今年迄今不到两个月时间，英伟达股价涨幅已经超过46%。当天，AMD、高通和英特尔等芯片公司股价涨幅也都接近2%。美国芯片股集体上涨与美国政府针对芯片研发的投资款项落地有关。2月9日，美国商务部长网站消息宣布，下一阶段对CHIPS研发计划的投资预计超过50亿美元，其中包括国家半导体技术中心的建设。

金融界02-11 14:20

24小时热点