长鑫存储取得半导体器件及半导体器件的形成方法专利，能够有效防止半导体器件失效lg...

摘要：金融界2024年4月1日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体器件及半导体器件的形成方法“，授权公告号CN113517199B，申请日期为2020年4月。专利摘要显示，该发明涉及一种半导体器件的形成方法，包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底内部形成电接触点；在所述衬底上表面形成着陆焊盘，且所述着陆焊盘与所述电接触点接触；在所述着陆焊盘和所述电接触点外露的表面形成阻挡层；在对形成了阻挡层的半导体器件进行电性测试之后，去除所述着陆焊盘上表面的阻挡层。本发明的一种半导体器件及半导体器件的形成方法，能够有效防止电接触点和电接触点之间短路而造成半导体器件失效的现象的发生，提升半导体器件的生产良率。