长鑫存储取得半导体结构及其形成方法、存储器及其形成方法专利，该专利技术能够提高存储器的存储密度lg...

摘要：金融界2024年4月1日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体结构及其形成方法、存储器及其形成方法“，授权公告号CN113644065B，申请日期为2020年4月。专利摘要显示，本发明涉及一种半导体结构及其形成方法，一种存储器及其形成方法，所述。所述半导体结构的形成方法包括：提供衬底，所述衬底表面形成有牺牲层和位于所述牺牲层表面的有源层；对所述有源层和所述牺牲层进行图形化，形成凹槽，所述凹槽将所述有源层和所述牺牲层分割为若干有源区；在所述凹槽内形成包围所述有源区的第一隔离层；对所述有源区内的有源层进行图形化，形成若干分立的有源图形；沿相邻的所述有源图形之间的开口去除所述牺牲层，形成位于所述有源图形底部与所述衬底之间的间隙；在所述间隙内形成位线；在部分所述有源图形顶部形成半导体柱。上述方法能够减小晶体管的平面尺寸，提高存储器的存储密度。