新洁能取得耗尽型MOSFET器件及其制造方法专利，工艺简化降低了成本lg...

摘要：金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，无锡新洁能股份有限公司取得一项名为“耗尽型MOSFET器件及其制造方法“，授权公告号CN109244123B，申请日期为2018年9月。专利摘要显示，本发明提供一种耗尽型MOSFET器件，包括：第一导电类型重掺杂衬底，以及在第一导电类型重掺杂衬底上形成的第一导电类型轻掺杂外延层，衬底和外延层构成形成半导体基板；半导体基板上包括有源区、栅极引出区和终端保护区；有源区位于半导体基板中央区域，栅极引出区位于有源区外侧，终端保护区位于有源区和栅极引出区外圈；在有源区内，第一导电类型轻掺杂外延层上部有第二导电类型轻掺杂体区和沟槽状的栅电极，栅电极两侧有第一导电类型耗尽层，栅电极顶部侧面设有第一导电类型源极；栅电极与第一导电类型源极、第一导电类型耗尽层、第二导电类型轻掺杂体、外延层通过栅氧层电绝缘；本发明工艺简化，降低了成本。