长鑫存储申请半导体结构及其制造方法专利，提高半导体结构的稳定性和可靠性lg...

摘要：金融界2024年2月9日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制造方法“，公开号CN117542386A，申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括：衬底；位于所述衬底上方的组件单元，所述组件单元包括二极管、位于所述二极管上方的磁性隧道结结构以及位于所述组件单元上方的自旋轨道矩提供层；其中，沿自下往上的方向，所述二极管结构依次包括第一极和第二极，所述磁性隧道结结构依次包括第一端和第二端，所述第二极与所述第一端电连接，所述自旋轨道矩提供层与所述第二端电连接。