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海纳股份申请二氧化硅背封自动去边设备专利,实现批量生产,工作效率明显提高

2024-02-12 09:48:51
金融界
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摘要:金融界2024年2月9日消息,据国家知识产权局公告,浙江海纳半导体股份有限公司申请一项名为“一种二氧化硅背封自动去边设备“,公开号CN117542751A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示,本发明涉及单晶硅抛光片加工技术领域,具体地说,涉及一种二氧化硅背封自动去边设备。包括搬运机械手和于搬运机械手一侧线性并排设置的上料台、定位涂覆模块、去边显现模块、腐蚀去边模块和下料台;三组模块内均安装有旋转台;定位涂覆模块还包括定位感应器、供胶嘴和若干热气嘴;去边显现模块内还包括二次定位感应器、带有升降机构的保护模板和若干光源;腐蚀去边模块包括腐蚀腔,腐蚀腔内侧的顶部对称分布有清洗液喷嘴和腐蚀液喷嘴。本发明设计采用自动化连续生产,能够持续性对多片硅片同时进行去边,实现批量生产,工作效率明显提高;采用平行单色光技术,规避了折射发生,可适应各种尺寸的去边要求,适应性强;采用光刻技术,精度高。

金融界2024年2月9日消息,据国家知识产权局公告,浙江海纳半导体股份有限公司申请一项名为“一种二氧化硅背封自动去边设备“,公开号CN117542751A,申请日期为2023年10月。

专利摘要显示,本发明涉及单晶硅抛光片加工技术领域,具体地说,涉及一种二氧化硅背封自动去边设备。包括搬运机械手和于搬运机械手一侧线性并排设置的上料台、定位涂覆模块、去边显现模块、腐蚀去边模块和下料台;三组模块内均安装有旋转台;定位涂覆模块还包括定位感应器、供胶嘴和若干热气嘴;去边显现模块内还包括二次定位感应器、带有升降机构的保护模板和若干光源;腐蚀去边模块包括腐蚀腔,腐蚀腔内侧的顶部对称分布有清洗液喷嘴和腐蚀液喷嘴。本发明设计采用自动化连续生产,能够持续性对多片硅片同时进行去边,实现批量生产,工作效率明显提高;采用平行单色光技术,规避了折射发生,可适应各种尺寸的去边要求,适应性强;采用光刻技术,精度高。

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