台积电取得半导体装置专利，提供更优的导电结构lg...

摘要：金融界2024年2月5日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体装置“的专利，授权公告号CN220439613U，申请日期为2023年6月。专利摘要显示，一种半导体装置，包括位于基板上的导电结构，所述导电结构具有：顶表面、在第一接点与顶表面相交的第一侧壁、以及在第二接点与顶表面相交的第二侧壁；以及位于导电结构之上的阻挡层，所述阻挡层包括：沿着第一侧壁向下延伸的第一凸部、沿着第二侧壁向下延伸的第二凸部、以及在顶表面之上且与第一凸部及第二凸部互连的横向桥部。