台积电取得半导体装置专利，提升半导体晶粒的封装效率与热管理lg...

摘要：金融界2023年12月28日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体装置“，授权公告号CN220253241U，申请日期为2023年4月。专利摘要显示，一种半导体装置，所述半导体装置包括第一半导体晶粒、第二半导体晶粒、热硅衬底以及包封体。第二半导体晶粒设置于第一半导体晶粒上且电性连接至第一半导体晶粒。热硅衬底设置于第一半导体晶粒上，其中热硅衬底与第二半导体晶粒间隔开。包封体设置于第一半导体晶粒上。包封体对第二半导体晶粒及热硅衬底进行包封。包封体包括填充材料层及绝缘体，其中填充材料层设置于第一半导体晶粒上且位于第二半导体晶粒与热硅衬底之间，且填充材料层藉由绝缘体而与第二半导体晶粒及热硅衬底间隔开。